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元器件采购网 > I-472页 > FET - 单IRFD220

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IRFD220

4-DIP(0.300",7.62mm) Vishay Siliconix 电话:0755-83217923
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IRFD220参数
产品类别:分立半导体产品-FET - 单
说明:MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP
包装数量:2500
包装形式:管件
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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):800mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):800 毫欧 @ 480mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):260pF @ 25V
功率 - 最大值:1W
安装类型:通孔

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