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IRFD220 |
4-DIP(0.300",7.62mm) | Vishay Siliconix | 电话:0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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IRFD220参数 产品类别:分立半导体产品-FET - 单 说明:MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP 包装数量:2500 包装形式:管件 PDF资料下载: ![]() FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压 (Vdss):200V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):800mA 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):800 毫欧 @ 480mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):14nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):260pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 安装类型:通孔 |
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热门型号: 近程E2EM-X8B12M 快动,限位开关D4N-1A31 TVS - 其它复B1200CA SCR - 单个MCR100-8RL 晶体ECS-240-20-4 Card EdgeGMC25DRTS-S93 箱R103-122-000 晶体管(BJT) MMSTA13-7 晶体FQ3225B-16 RF 天线S24493BPX12SMF |